- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378639 > IRLW520A (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Advanced Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLW520A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 9.2 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRLW520A |
IRLW/I520A
6
N-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =--------------------------
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by
＂
R
G
＂
I
S
controlled by Duty Factor
＂
D
＂
V
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLWI520A | Advanced Power MOSFET |
| IRLI540A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLW540A | ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLWI540A | Advanced Power MOSFET |
| IRLI630 | ADVANCED POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLW520ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLW530A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLW530ATM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLW540A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLW540ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。