型号: | IRLW540A |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | ADVANCED POWER MOSFET |
中文描述: | 28 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封装: | D2PAK-3 |
文件页数: | 9/9页 |
文件大小: | 270K |
代理商: | IRLW540A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRLWI540A | Advanced Power MOSFET |
IRLI630 | ADVANCED POWER MOSFET |
IRLI630A | ADVANCED POWER MOSFET |
IRLWI630A | Advanced Power MOSFET |
IRLW630A | ADVANCED POWER MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRLW540ATM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLW610A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLW610ATM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLW620A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLW620ATM | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |