型号: | IRLZ34N |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
中文描述: | 30 A, 55 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件页数: | 2/7页 |
文件大小: | 62K |
代理商: | IRLZ34N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRLZ34NL | HEXFET Power MOSFET |
IRLZ34 | HEXFET POWER MOSFET |
IRLZ34NS | HEXFET Power MOSFET |
IRM3000 | Optoelectronic |
IRM3001 | Optoelectronic |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRLZ34N,127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
IRLZ34N-002HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
IRLZ34N-010HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
IRLZ34NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRLZ34NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |