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参数资料
| 型号： | IRLZ34N |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 30 A, 55 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | IRLZ34N |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
Logic level TrenchMOS
TM
transistor
IRLZ34N
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 30 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 20 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1E-05
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
2%
typ
98%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Ciss
Coss
Crss
VDS/V
T
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
5
10
15
20
25
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
5
Rev 1.000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLZ34NL | HEXFET Power MOSFET |
| IRLZ34 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLZ34NS | HEXFET Power MOSFET |
| IRM3000 | Optoelectronic |
| IRM3001 | Optoelectronic |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLZ34N,127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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