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参数资料
| 型号： | IRLZ44ZLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5mヘ , ID = 51A) |
| 中文描述： | 汽车MOSFET的（减振钢板基本\u003d 55V的，的RDS（on）\u003d 1350ヘ，身份证\u003d 51A条） |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | IRLZ44ZLPBF |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
1K
VCC
DUT
0
L
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
80
160
240
320
EA
ID
TOP
3.7A
5.7A
BOTTOM
31A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VG
ID = 250μA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLZ44ZSHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Bulk |
| IRLZ44ZSPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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