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参数资料
型号： IRLZ44ZS
厂商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽车MOSFET的
文件页数： 6/12页
文件大小： 304K
代理商： IRLZ44ZS
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
1K
VCC
DUT
0
L
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
80
160
240
320
EA
ID
TOP
3.7A
5.7A
BOTTOM
31A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VG
ID = 250μA
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IRLZ44ZSPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ44ZSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRLZ44ZSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ44ZSTRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 51A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
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