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参数资料
| 型号： | IRS2101PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 中文描述： | 高端和低端驱动 |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | IRS2101PBF |
IRS2101(S)PbF
www.irf.com
9
Vcc Supply Voltage (V)
V
BAIS
Figure 14A. High Level Output Voltage
vs. Temperature
Figure 14B. High Level Output
vs. Supply Voltage
Figure 15A. Low Level Output Voltage
vs. Temperature
Figure 15B. Low level Output
vs.Supply Voltage
Temperature (°C)
Temperature (°C)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
10
12
14
16
18
20
H
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
H
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
L
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
10
12
14
16
18
20
V
BIAS
Supply Voltage (V)
L
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max.
Typ.
Max
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
75
100
125
Figure 13A. Logic "0" Input Bias Current
vs. Temperature
L
Max
0
1
2
3
4
5
6
10
12
14
Supply Voltage (V)
16
18
20
L
Figure 13B. Logic "0" Input Bias Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRS2101STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| IRS2103SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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