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参数资料
| 型号： | IRS2112PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14-DIP |
| 标准包装： | 25 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 135ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-DIP |
| 包装： | 管件 |
IRS2112(-1,-2,S)PbF
250
250
200
200
M ax.
150
100
50
0
M ax.
Typ .
150
100
50
0
Typ.
- 50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
400
Temperature( o C)
Figure 9A. Shutdown Delay Time
vs. Temperature
250
V C C /V BS Supply V oltage (V )
Figure 9B. Shutdown Delay Time
vs. V CC /V BS Supply Voltage
300
200
T yp.
M ax .
200
150
100
M ax.
100
0
50
0
T yp.
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-5 0
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature ( C)
V DD Supply V oltage (V )
Figure 9C. Shutdown Time vs. V DD Supply Voltage
250
200
M ax
150
100
Typ
o
Figure 10A. Turn-On Rise Time vs. Temperature
125
100
75
M ax.
50
50
0
25
0
Typ.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temper ature ( C)
V BIAS Supply V oltage (V )
Figure 10B. Turn-On Rise Time vs. Voltage
www.irf.com
o
Figure 11A . Turn-Off Fall Time vs. Temperature
8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRS2112STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr ShutDwn Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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