参数资料
型号: IRS2117PBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 17/26页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP
标准包装: 50
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 125ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS211(7,71,8)(S)
500
500
400
300
Typ.
400
300
200
100
0
Min.
200
100
0
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
1000
800
Temperature ( o C)
Figure 25A. Output Source Current
vs. Tem perature
1000
800
V BIAS Supply Voltage (V)
Figure 25B. Output Source Current
vs. Supply Voltage
600
Typ.
600
Min.
400
200
400
200
Typ.
Min.
0
-50
-25
0 25 50 75
Temperature ( o C)
100 125
0
10
12 14 16 18
V BIAS Supply Voltage (V)
20
0
-2
Figure 26A. Output Sink Current
vs.Tem perature
Figure 26B. Output Sink Current
vs. Supply Voltage
-4
-6
-8
-10
-12
Typ.
10
12
14
16
18
20
V bs Floating Supply Voltage (V)
Figure 27. Maximum VS Negative Offset vs.
Supply Voltage
www.irf.com
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? 2008 International Rectifier
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PDF描述
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