参数资料
型号: IRS21271SPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 16/21页
文件大小: 0K
描述: IC DVR CURR SENSE 1CH 600V 8SOIC
标准包装: 95
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 150ns
电流 - 峰: 290mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 9 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
6
6
5
4
3
2
1
0
Max
5
4
3
2
1
0
Max
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
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Temperature (°C)
Figure 2 4 A. L ogic "0" CS Bias Current vs .
Temperature
Supply Voltage (V)
Figure 2 4 B. Lo gic "0" CS Bias Current vs.
Voltage
14
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10
8
6
4
2
0
Max
Typ
Min
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Min
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Temperature (°C)
Figure 2 5 A. V BS UV Thre shold (+) vs.
Temperature
www.irf.com
Supply Voltage (V)
Figure 2 5 B. V BS UV Threshold (+) vs. Voltage
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PDF描述
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IRS2127PBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2127SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2127STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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