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参数资料
| 型号： | IRS21271SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR CURR SENSE 1CH 600V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 150ns |
| 电流 - 峰： | 290mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 9 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS212(7, 71, 8, 81)(S)PbF
Absolute Maximum Ratings
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured
under board mounted and still air conditions.
Symbol
V B
V S
V HO
V CC
V IN
V FLT
V CS
dV s /dt
Definition
High-side floating supply voltage
High-side floating offset voltage
High-side floating output voltage
Logic supply voltage
Logic input voltage
FAULT output voltage
Current sense voltage
Allowable offset supply voltage transient
Min.
-0.3
V B - 25
V S - 0.3
-0.3
-0.3
-0.3
V S - 0.3
—
Max.
625
V B + 0.3
V B + 0.3
25
V CC + 0.3
V CC + 0.3
V B + 0.3
50
Units
V
V/ns
P D
Rth JA
T J
T S
T L
Package power dissipation @ T A ≤ +25 °C
Thermal resistance, junction to ambient
Junction temperature
Storage temperature
Lead temperature (soldering, 10 seconds)
8-Lead DIP
8-Lead SOIC
8-Lead DIP
8-Lead SOIC
—
—
—
—
—
-55
—
1.0
0.625
125
200
150
150
300
W
°C/W
°C
Recommended Operating Conditions
The input/output logic timing diagram is shown in Fig. 1. For proper operation the device should be used within the
recommended conditions. The V S offset rating is tested with all supplies biased at 15 V differential.
Symbol
Definition
Min.
Max.
Units
V B
V S
V HO
High-side floating supply voltage
High-side floating offset voltage
High-side floating output voltage
(IRS2127/IRS2128)
(IRS21271/IRS21281)
V S + 12
V S + 9
Note 1
V S
V S + 20
V S + 20
600
V B
V CC
V IN
V FLT
V CS
T A
Logic supply voltage
Logic input voltage
FAULT output voltage
Current sense signal voltage
Ambient temperature
10
0
0
V S
-40
20
V CC
V CC
V S + 5
125
V
°C
Note 1: Logic operational for V S of -5 V to +600 V. Logic state held for V S of -5 V to -V BS . (Please refer to the Design Tip
DT97-3 for more details).
www.irf.com
2
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PDF描述 |
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| QYX1H472KTP | CAP FILM 4700PF 50VDC RADIAL |
| AUIRS2128STR | IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
| ABM8G-13.000MHZ-18-D2Y-T | CRYSTAL 13.000 MHZ 18 PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21271STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2127PBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2127SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2127STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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