参数资料
型号: IRS21531DPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/14页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR SELF-OSC HALF BRG 8-DIP
标准包装: 50
配置: 半桥
输入类型: 自振荡
电流 - 峰: 180mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 15.4 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
产品目录页面: 1382 (CN2011-ZH PDF)
IRS2153(1)D
Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS) = 14 V, C T = 1 nF, V S =0 V and T A = 25 °C unless otherwise specified. The output voltage and current (V O and I O )
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO. CLO = CHO = 1 nF.
Symbol
Definition
Min
Typ
Max
Units
Test Conditions
Gate Driver Output Characteristics
V OH
V OL
V OL_UV
t r
t f
t sd
t d
t d
I O+
I O-
High-level output voltage
Low-level output voltage
UV-mode output voltage
Output rise time
Output fall time
Shutdown propagation delay
Output deadtime (HO or LO) (IRS2153D)
Output deadtime (HO or LO) (IRS21531D)
Output source current
Output sink current
---
---
---
---
---
---
0.65
0.35
---
---
V CC
COM
COM
120
50
350
1.1
0.6
180
260
---
---
---
220
80
---
1.75
0.85
---
---
V
ns
μ s
μ s
mA
I O = 0 A
I O = 0 A,
V CC ≤ V CCUV-
Bootstrap FET Characteristics
V B_ON
V B when the bootstrap FET is on
---
13.7
---
V
I B_CAP
I B_10V
V B source current when FET is on
V B source current when FET is on
40
10
55
12
---
---
mA
C BS =0.1 uF
V B =10 V
5
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