参数资料
型号: IRS2184PBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 11/30页
文件大小: 0K
描述: IC DVR HALF BRIDGE 8-DIP
标准包装: 50
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 680ns
电流 - 峰: 1.9A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
IRS2184/IRS21844(S)PbF
500
400
1400
1200
300
200
100
0
Max.
Typ.
1000
800
600
400
Max.
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
o
Figure 13A. Turn-On Propagation Delay Time
vs. Temperature
700
600
500
Supply Voltage (V)
Figure 13B. Turn-On Propagation Delay Time
vs. Supply Voltage
700
600
500
Max.
400
300
Max.
400
Typ.
300
Typ.
200
200
100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
100
10
12
14
16
18
20
Temperature ( o C)
Figure 14A. Turn-Off Propagation Delay Time
vs. Temperature
www.irf.com
Supply Voltage (V)
Figure 14B. Turn-Off Propagation Delay Time
vs. Supply Voltage
11
相关PDF资料
PDF描述
IRS21850SPBF IC DVR HIGH SIDE SGL 600V 8-SOIC
IRS21851SPBF IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8-SOIC
IRS21853STRPBF IC DRIVER HIGH SIDE DUAL 16-SOIC
IRS21856SPBF IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 14-SOIC
IRS21858SPBF IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 16-SOIC
相关代理商/技术参数
参数描述
IRS2184S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IRS2184SPBF 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 10V to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS2184STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Soft Trn On Sngl 400ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21850SPBF 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IRS21850STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube