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参数资料
| 型号： | IRS2184PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 22/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 1.9A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
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IRS2184/IRS21844(S)PbF
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Frequency (kHz)
Figure 37. IRS218 4 vs. Frequency (IRFBC50),
R gate = 10 W, V cc = 15V
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Frequency (kHz)
Figure 38. IRS218 4 4 vs. Frequency (IRFBC20),
R gate = 33 W, V cc = 15V
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Frequency (kHz)
Figure 39. IRS218 4 4 vs. Frequency (IRFBC30),
R gate = 22 W, V cc = 15V
www.irf.com
Frequency (kHz)
Figure 40. IRS218 4 4 vs. Frequency (IRFBC40),
R gate = 15 W, V cc = 15V
22
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS21850SPBF | IC DVR HIGH SIDE SGL 600V 8-SOIC |
| IRS21851SPBF | IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8-SOIC |
| IRS21853STRPBF | IC DRIVER HIGH SIDE DUAL 16-SOIC |
| IRS21856SPBF | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 14-SOIC |
| IRS21858SPBF | IC DVR LOW SIDE/DUAL HI 16-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2184S | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IRS2184SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 3-Phase Bridge DRVR 600V 10V to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2184STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Soft Trn On Sngl 400ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21850SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 600V 1 IC 10V TO 20V 3.3V 5.5V HIGH SIDE RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21850STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hi Sd Drvr IC 600V Single RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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