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参数资料
| 型号： | IRS21851STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 160ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRS21851STRPBFDKR |
Data Sheet PD No. 60 255 rev A
Not recommended for new design:
please use IRS21 850
IRS21851SPbF
Features
? Gate drive supply range from 10 V to 20 V
? Undervoltage lockout for V BS and V CC
? 3.3 V and 5 V input logic compatible
? Tolerant to negative transient voltage
? Matched propagation delays for all channels
? RoHS compliant
SINGLE HIGH SIDE DRIVER IC
Product Summary
V OFFSET 600 V max.
I O +/- 4A/ 4A
V OUT 10 V - 20 V
Description
The IRS21851 is a high voltage, high speed power
MOSFET and IGBT single high-side driver with propa-
gation delay matched output channels. Proprietary
HVIC and latch immune CMOS technologies enable
ruggedized monolithic construction. The floating logic
input is compatible with standard CMOS or LSTTL
output, down to 3.3 V logic and can be operated up to
600 V above the ground. The output driver features a
high pulse current buffer stage designed for mini-
mum driver cross-conduction. The floating channel
can be used to drive an N-channel power MOSFET
or IGBT in the high- side configuration, which oper-
ates up to 600 V.
t on/off (typ.)
Package
160 ns & 160 ns
8-Lead SOIC
IRS21851
Typical Connection
up to 600V
V CC
IN
V CC
IN
V B
HO
V S
TO
LOAD
COM
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration). This diagram shows electrical connections only.
Please refer to our Application Notes and DesignTips for proper circuit board layout.
www.irf.com
1
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