- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17557 > IRS21851STRPBF (International Rectifier)IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRS21851STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH SIDE SGL 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 160ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRS21851STRPBFDKR |
IRS21851SPbF
Dynamic Electrical Characteristics
(V CC -COM)=(V B -V S )=15 V, T A = 25 o C. C L = 1000 pF unless otherwise specified. All parameters are referenced to COM.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
t on
Turn-on propagation delay
—
160
210
(V S -COM) = 0 V
t off
t r
t f
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
—
—
—
160
15
15
210
40
40
ns
(V S -COM) = 600 V
Static Electrical Characteristics
(V CC -COM)=(V B -V S )=15 V. The V IN , V TH, and I IN parameters are referenced to COM. The V O and I O parameters are
referenced respective V S and are applicale to the respective output leads HO. The V CC parameters are referenced to
COM. The V BSUV parameters are referenced to V S.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V CCUV+
V CC supply undervoltage positive going threshold
8.0
8.9
9.8
V CCUV-
V BSUV+
V BSUV-
I LK
V CC supply undervoltage negative going threshold
V BS supply undervoltage positive going threshold
V BS supply undervoltage negative going threshold
High-side floating well offset supply leakage current
7.4
8.0
7.4
—
8.2
8.9
8.2
—
9.0
9.8
9.0
50
V
V B = V S = 600 V
I QBS
I QCC
V IH
V IL
V OH, HO
V OL, HO
I IN+
I IN-
I O+, HO
I O-, HO
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Logic “1” input voltage
Logic “0” input voltage
HO high level output voltage, V BIAS - V O
HO low level output voltage, V O
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
Output high short circuit pulsed current HO
Output low short circuit pulsed current HO
—
—
2.5
—
—
—
—
—
—
—
80
120
—
—
20
10
10
0
4
4
150
240
—
0.8
60
30
20
5
—
—
μA
V
mV
μA
A
HIN = 0 V or 5 V
I O = 2 mA
V HIN = 5 V
V HIN = 0 V
V O = 0 V, V IN = 0 V
PW ≤ 10 μs
V O = 15 V, V IN = 15 V
PW ≤ 10 μs
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95S474K035EZAL | CAP TANT 0.47UF 35V 10% 1507 |
| T95Z685M035EZSL | CAP TANT 6.8UF 35V 20% 2910 |
| FCN2416G123J-D2 | CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416 |
| T95Z685K035EZSL | CAP TANT 6.8UF 35V 10% 2910 |
| IRS21867STRPBF | IC MOSFET DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS21852SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DUAL MODE LOW SIDE RAMP DRIVER - Rail/Tube |
| IRS21852STRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:DUAL MODE LOW SIDE RAMP DRIVER - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:TAPE AND REEL // Dual mode low side ramp driver |
| IRS21853SPBF | 功能描述:功率驱动器IC DUAL HI SIDE DRVR 600V 2A 40ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21853STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Dual Hi Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS21856SPBF | 功能描述:功率驱动器IC High Dual Low Side 600V 4.5V 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。