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参数资料
| 型号： | IRS2608DSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF BRIDGE 600V 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 差分 |
| 延迟时间： | 250ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
IRS2608DSPbF
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15 V, COM = V CC , C L = 1000 pF, T A = 25°C.
Symbol
Definition
Min Typ Max Units Test Conditions
t on
t off
MT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Delay matching t on - t off
120
120
—
250
250
—
380
380
60
V S = 0 V or 600 V
V S = 0 V or 600 V
t r
t f
DT
MT
MDT
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime: LO turn-off to HO turn-on(DT LO-HO)
& HO turn-off to LO turn-on (DT HO-LO)
Delay matching time (t ON , t OFF )
Deadtime matching = DT LO-HO - DT HO-LO
—
—
350
—
—
150
50
530
—
—
220
80
800
60
60
nsec
V S = 0 V
V S = 0 V
V IN = 0 V & 5 V
Without external
deadtime
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, and T A = 25°C unless otherwise specified. The V IL, V IH and I IN parameters are referenced to COM
and are applicable to the respective input leads: HIN and LIN. The V O, I O and Ron parameters are referenced to COM and
are applicable to the respective output leads: HO and LO.
Symbol
Definition
Min Typ Max Units Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage for HIN & logic “0” for LIN
—
—
2.2
V IL
V OH
V OL
Logic “0” input voltage for HIN & logic “1” for LIN 0.8
High level output voltage, V BIAS - V O —
Low level output voltage, V O
—
—
0.8
0.3
—
1.4
0.6
V
I O = 20 mA
I LK
I QBS
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
—
—
—
45
50
70
V B = V S = 600 V
V IN = 0 V or 4 V
I QCC
Quiescent V CC supply current
1000 1700 3000
A
V IN = 0 V or 4 V
I IN+
I IN-
V CCUV+
V BSUV+
V CCUV-
V BSUV-
V CCUVH
V BSUVH
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V CC and V BS supply undervoltage positive going
threshold
V CC and V BS supply undervoltage negative going
threshold
Hysteresis
—
—
8.0
7.4
—
15
10
8.9
8.2
0.7
30
20
9.8
9.0
—
V
V IN = 4 V
V IN = 0 V
I O+
I O-
Rbs
Output high short circuit pulsed current
Output low short circuit pulsed current
Bootstrap resistance
120
250
—
200
350
200
—
—
—
mA
Ohm
V O = 0 V,
PW ≤ 10 us
V O = 15 V,
PW ≤ 10 us
www.irf.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T95X685M020LSSL | CAP TANT 6.8UF 20V 20% 2910 |
| RCA14DTMH | CONN EDGECARD 28POS R/A .125 SLD |
| R1D10-1524-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-24VOUT |
| CKP2520N4R7M-T | INDUCTOR 4.7UH MULTILAYER 1008 |
| R1D10-1515-R | CONV DC/DC 1W 15VIN +/-15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRS2608DSPBF_1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2608DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Compl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half-Bridge Driver 600V 120mA 530ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IRS2609DSPBF_11 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER |
| IRS2609DSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 600V .250A Sngl Inpt RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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