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参数资料
| 型号： | IS61C64AL-10JLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 |
| 封装： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IS61C64AL-10JLI |
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
IS61C64AL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/16/06
5
AC TEST CONDITIONS
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Times
Input and Output Timing
and Reference Levels
Output Load
Unit
0V to 3.0V
3 ns
1.5V
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 2
480
Ω
5 pF
Including
jig and
scope
255
Ω
OUTPUT
5V
480
Ω
30 pF
Including
jig and
scope
255
Ω
OUTPUT
5V
Figure 1
READ CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS
(1)
(Over Operating Range)
-10 ns
Min.
-12 ns
Min. Max.
Symbol
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
DOE
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCS
(2)
t
HZCS
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
Parameter
Max
Unit
Read Cycle Time
10
—
12
—
ns
Address Access Time
—
10
—
12
ns
Output Hold Time
2
—
2
—
ns
CE
Access Time
—
10
—
12
ns
OE
Access Time
—
6
—
6
ns
OE
to Low-Z Output
0
—
0
—
ns
OE
to High-Z Output
—
5
—
6
ns
CE
to Low-Z Output
2
—
3
—
ns
CE
to High-Z Output
—
5
—
7
ns
CE
to Power-Up
0
—
0
—
ns
CE
to Power-Down
—
10
—
12
ns
Notes:
1. Test conditions assume signal transition times of 5 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V
and output loading specified in Figure 1.
2. Tested with the load in Figure 2. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage. Not 100% tested.
3. Not 100% tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C64AL-10TI | 8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C67-15N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61C64AL-10JLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 10ns 5V Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61C64AL-10TI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C64AL-10TLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 10ns 5V Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61C64B | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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