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参数资料
| 型号： | IS61C64AL-10TLI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-28 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IS61C64AL-10TLI |
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
IS61C64AL
ISSI
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
03/16/06
9
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
V
DR
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DD
for Data Retention
See Data Retention Waveform
V
DD
= 2.0V,
CE
≥
V
DD
– 0.2V
V
IN
≥
V
DD
– 0.2V, or V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V
See Data Retention Waveform
2.0
5.5
V
I
DR
Data Retention Current
Com.
Ind.
—
—
50
90
100
μA
t
SDR
t
RDR
Data Retention Setup Time
0
—
ns
Recovery Time
See Data Retention Waveform
t
RC
—
ns
Note:
1. Typical Values are measured at V
DD
= 5V, T
A
= 25
o
C and not 100% tested.
DATA RETENTION WAVEFORM (
CE
Controlled)
VDD
CE
≥
VDD
- 0.2V
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE
GND
4.5V
2.2V
Data Retention Mode
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61C64AL-10TLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 10ns 5V Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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