型号: | IS61C67-L15N |
厂商: | Integrated Silicon Solution, Inc. |
英文描述: | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
中文描述: | 16K的× 1高速CMOS静态RAM |
文件页数: | 4/8页 |
文件大小: | 340K |
代理商: | IS61C67-L15N |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IS61C67-L20N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
IS61C67-L25N | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
IS61DDB21M36-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB22M18 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
IS61DDB22M18-250M3 | 36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IS61C67-L20N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
IS61C67-L25N | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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IS61DDB21M18A-300B4L | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb, DDR II CIO Sync静态随机存取存储器,1Mx18 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |