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参数资料
| 型号： | IS61LPD25636A-200TQ |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 20/32页 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | IS61LPD25636A-200TQ |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
27
Rev. B
12/13/06
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
165 PBGA BOUNDARY SCAN ORDER (x 18)
Signal Bump
Signal
Bump
Signal
Bump
Signal
Bump
Bit #
Name
ID
Bit #
Name
ID
Bit #
Name
ID
Bit #
Name
ID
1
MODE
1R
21
DQa
11G
41
NC
1A
61
DQb
1J
2
NC
6N
22
DQa
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CE2
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DQb
1K
3
A
11P
23
DQa
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BWa
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DQb
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4
A
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5
A
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A
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CE
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ZZ
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2G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200TQ2I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQI | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 8M (256Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD25636A-250B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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