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参数资料
| 型号： | IS61LPD25636A |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K × 36，为512k × 18 9 MB的同步流水线，双循环取消选择静态RAM |
| 文件页数： | 29/32页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | IS61LPD25636A |
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6
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. A
05/09/05
IS61VPD25636A, IS61VPD51218A, IS61LPD25636A, IS61LPD51218A
ISSI
PIN DESCRIPTIONS
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
256K X 36 (TOP VIEW)
Note: * A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is
desired.
12345
6
7
8
9
10
11
A
NC
A
CE
BWc
BWb
CE2
BWE
ADSC
ADV
ANC
B
NC
A
CE2
BWd
BWa
CLK
GW
OE
ADSP
ANC
C
DQPc
NC
VDDQ
Vss
VDDQ
NC
DQPb
D
DQc
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQb
E
DQc
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQb
F
DQc
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQb
G
DQc
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQb
H
NC
Vss
NC
VDD
Vss
VDD
NC
ZZ
J
DQd
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
K
DQd
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
L
DQd
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
M
DQd
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
N
DQPd
NC
VDDQ
Vss
NC
Vss
VDDQ
NC
DQPa
P
NC
A
TDI
A1*
TDO
A
R
MODE
NC
A
TMS
A0*
TCK
A
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b,c,d) Synchronous Byte Write
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
Byte Write Enable
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQx
Data Inputs/Outputs
DQPx
Data Inputs/Outputs
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Power Supply
3.3V
/2.5V
Vss
Ground
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQLI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD25636A-200B2 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B2I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3 | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200B3I | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD25636A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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