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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A-200B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 14/29页 |
| 文件大小： | 552K |
| 代理商： | IS61LPD51236A-200B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
21
Rev. C
07/08/08
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
INSTRUCTION CODES
Code
Instruction
Description
000
EXTEST
CapturestheInput/Outputringcontents.Placestheboundaryscanregisterbe-
tweentheTDIandTDO.ForcesallSRAMoutputstoHigh-Zstate.This
instructionisnot1149.1compliant.
001
IDCODE
LoadstheIDregisterwiththevendorIDcodeandplacestheregisterbetweenTDI
andTDO.ThisoperationdoesnotaffectSRAMoperation.
010
SAMPLE-Z
CapturestheInput/Outputcontents.Placestheboundaryscanregisterbetween
TDIandTDO.ForcesallSRAMoutputdriverstoaHigh-Zstate.
011
RESERVED
DoNotUse:Thisinstructionisreservedforfutureuse.
100
SAMPLE/PRELOAD
CapturestheInput/Outputringcontents.Placestheboundaryscanregister
between TDIandTDO.DoesnotaffecttheSRAMoperation.Thisinstructiondoesnot
implement1149.1preloadfunctionandisthereforenot1149.1compliant.
101
RESERVED
DoNotUse:Thisinstructionisreservedforfutureuse.
110
RESERVED
DoNotUse:Thisinstructionisreservedforfutureuse.
111
BYPASS
PlacesthebypassregisterbetweenTDIandTDO.Thisoperationdoesnot
affectSRAMoperation.
Select DR
Capture DR
Shift DR
Exit1 DR
Pause DR
Exit2 DR
Update DR
Select IR
Capture IR
Shift IR
Exit1 IR
Pause IR
Exit2 IR
Update IR
Test Logic Reset
Run Test/Idle
1
0
1
0
1
0
TaP CONTROllER STaTE DIaGRaM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200TQ | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQLI | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3 | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-250B3I | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPD51236A-200TQI | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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