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参数资料
| 型号： | IS61LPD51236A |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 中文描述： | 为512k × 36，1024K × 18 18MB的同步流水线，双循环取消选择静态RAM |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | IS61LPD51236A |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. B
02/03/06
IS61VPD51236A, IS61VPD102418A, IS61LPD51236A ,IS61LPD102418A
ISSI
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-250
-200
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
250
—
200
MHz
tKC
Cycle Time
4.0
—
5
—
ns
tKH
Clock High Time
1.7
—
2
—
ns
tKL
Clock Low Time
1.7
—
2
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
2.6
—
3.1
ns
tKQX(2)
Clock High to Output Invalid
0.8
—
1.5
—
ns
tKQLZ(2,3)
Clock High to Output Low-Z
0.8
—
1
—
ns
tKQHZ(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
2.6
—
3.1
ns
tOELZ(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
tOEHZ(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tAS
Address Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tWS
Read/Write Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tDS
Data Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tDH
Data Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tPDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
tPUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Note:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61LPS102418A | 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200B2I | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200B3 | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200B3I | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61LPS12832A-200TQ | 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61LPD51236A-200B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61LPD51236A-200TQ | 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, DOUBLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
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