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参数资料
型号： IS61LPS102418A-250B3I
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165
封装： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
文件页数： 34/35页
文件大小： 369K
代理商： IS61LPS102418A-250B3I
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. N
02/12/2010
IS61VPS25672A,IS61LPS25672A
IS61VPS51236A, IS61LPS51236A, IS61VPS102418A, IS61LPS102418A
Note: * A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
165 PBGA PACKAGE PIN CONFIGURATION
1M X 18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
12345
6
7
8
9
10
11
A
NC
A
CE
BWb
NC
CE2
BWE
ADSC
ADV
AA
B
NC
A
CE2
NC
BWa
CLK
GW
OE
ADSP
ANC
C
NC
VDDQ
Vss
VDDQ
NC
DQPa
D
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
E
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
F
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
G
NC
DQb
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
NC
DQa
H
NC
Vss
NC
VDD
Vss
VDD
NC
ZZ
J
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
K
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
L
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
M
DQb
NC
VDDQ
VDD
Vss
VDD
VDDQ
DQa
NC
N
DQPb
NC
VDDQ
Vss
NC
A
Vss
VDDQ
NC
P
NC
A
TDI
A1*
TDO
A
R
MODE
NC
A
TMS
A0*
TCK
A
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address
Advance
ADSP
Address Status Processor
ADSC
Address Status Controller
GW
Global Write Enable
CLK
Synchronous Clock
CE, CE2, CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b)
Synchronous Byte Write
Controls
Symbol
Pin Name
BWE
Byte Write Enable
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
TCK, TDO
JTAG Pins
TMS, TDI
NC
No Connect
DQx
Data Inputs/Outputs
DQPx
Data Inputs/Outputs
VDD
3.3V/2.5V Power Supply
VDDQ
Isolated Output Power Supply
3.3V/2.5V
Vss
Ground
相关PDF资料
PDF描述
IS61LPS102418A-250TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS25672A-250B1 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS25672A-250B1I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51236A-200B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61LPS102418A-250B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQI 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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