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参数资料
型号： IS61LPS102418A-250B3I
厂商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类： SRAM
英文描述： 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PBGA165
封装： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165
文件页数： 9/35页
文件大小： 369K
代理商： IS61LPS102418A-250B3I
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
17
Rev. N
02/12/2010
IS61VPS25672A,IS61LPS25672A
IS61VPS51236A, IS61LPS51236A, IS61VPS102418A, IS61LPS102418A
READ/WRITE CYCLE SWITCHING CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
-250
-200
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
fMAX
Clock Frequency
—
250
—
200
MHz
tKC
Cycle Time
4.0
—
5
—
ns
tKH
Clock High Time
1.7
—
2
—
ns
tKL
Clock Low Time
1.7
—
2
—
ns
tKQ
Clock Access Time
—
2.6
—
3.1
ns
tKQX(2)
Clock High to Output Invalid
0.8
—
1.5
—
ns
tKQLZ(2,3)
Clock High to Output Low-Z
0.8
—
1
—
ns
tKQHZ(2,3)
Clock High to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tOEQ
Output Enable to Output Valid
—
2.8
—
3.1
ns
tOELZ(2,3)
Output Enable to Output Low-Z
0
—
0
—
ns
tOEHZ(2,3)
Output Disable to Output High-Z
—
2.6
—
3.0
ns
tAS
Address Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tWS
Read/Write Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tCES
Chip Enable Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tAVS
Address Advance Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tDS
Data Setup Time
1.2
—
1.4
—
ns
tAH
Address Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tWH
Write Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tCEH
Chip Enable Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tAVH
Address Advance Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tDH
Data Hold Time
0.3
—
0.4
—
ns
tPDS
ZZ High to Power Down
—
2
—
2
cyc
tPUS
ZZ Low to Power Down
—
2
—
2
cyc
Note:
1. Configuration signal MODE is static and must not change during normal operation.
2. Guaranteed but not 100% tested. This parameter is periodically sampled.
3. Tested with load in Figure 2.
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PDF描述
IS61LPS102418A-250TQ 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS102418A-250TQI 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS25672A-250B1 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS25672A-250B1I 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS61LPS51236A-200B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
IS61LPS102418A-250B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQ 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQI 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61LPS102418A-250TQI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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