参数资料
型号: IS61LPS12836A-200B2I
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封装: 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
文件页数: 10/26页
文件大小: 310K
代理商: IS61LPS12836A-200B2I
18
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. G
05/06/09
IS61(64)LPS12832A
IS61(64)LPS12836A IS61(64)VPS12836A
IS61(64)LPS25618A IS61(64)VPS25618A
WRITE CYCLE TIMING
Single Write
DATAOUT
DATAIN
OE
CE2
CE
BWx
BWE
GW
Address
ADV
ADSC
ADSP
CLK
WR1
WR2
Unselected
Burst Write
tKC
tKL
tKH
tSS
tSH
tAS
tAH
tWS
tWH
tWS
tWH
WR3
tCES
tCEH
tCES
tCEH
tCES
tCEH
CE2 and CE2 only sampled with ADSP or ADSC
CE Masks ADSP
Unselected with CE2
ADSC initiate Write
ADSP is blocked by CE inactive
tAVH
tAVS
ADV must be inactive for ADSP Write
WR1
WR2
tWS
tWH
WR3
tWS
tWH
High-Z
1a
3a
tDS
tDH
BW4-BW1 only are applied to first cycle of WR2
Write
2c
2d
2a
2b
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参数描述
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IS61LPS12836A-200B2LI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 4M (128Kx36) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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