参数资料
型号: IS61LPS12836A-200B2I
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封装: 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
文件页数: 6/26页
文件大小: 310K
代理商: IS61LPS12836A-200B2I
14
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. G
05/06/09
IS61(64)LPS12832A
IS61(64)LPS12836A IS61(64)VPS12836A
IS61(64)LPS25618A IS61(64)VPS25618A
CAPACITANCE(1,2)
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6
pF
COUT
Input/Output Capacitance
VOUT = 0V
8
pF
Notes:
1. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
2. Test conditions: TA = 25°C, f = 1 MHz, VDD = 3.3V.
3.3V I/O AC TEST CONDITIONS
Parameter
Unit
Input Pulse Level
0V to 3.0V
Input Rise and Fall Times
1.5 ns
Input and Output Timing
1.5V
and Reference Level
Output Load
See Figures 1 and 2
AC TEST LOADS
Figure 2
317
Ω
5 pF
Including
jig and
scope
351
Ω
OUTPUT
3.3V
Figure 1
Output
ZO = 50
Ω
1.5V
50
Ω
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