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参数资料
| 型号： | IS61NLP12832A-250B3I |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 中文描述： | 128K X 32 ZBT SRAM, 2.6 ns, PBGA165 |
| 封装： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165 |
| 文件页数： | 27/29页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IS61NLP12832A-250B3I |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
7
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
119-PIN PBGA PACKAGE CONFIGURATION
256K x 18 (TOP VIEW)
PIN DESCRIPTIONS
Symbol
Pin Name
A
Address Inputs
A0, A1
Synchronous Burst Address Inputs
ADV
Synchronous Burst Address Advance/
Load
WE
Synchronous Read/Write Control Input
CLK
Synchronous Clock
CKE
Clock Enable
CE
Synchronous Chip Select
CE2
Synchronous Chip Select
CE2
Synchronous Chip Select
BWx (x=a,b)
Synchronous Byte Write Inputs
OE
Output Enable
ZZ
Power Sleep Mode
MODE
Burst Sequence Selection
VDD
Power Supply
VSS
Ground
NC
No Connect
DQa-DQb
Data Inputs/Outputs
DQPa-Pb
Parity Data I/O
VDDQ
Output Power Supply
1234567
A
B
NC
C
NC
D
DQb
Vss
E
DQb
Vss
F
VDDQ
G
DQb
H
DQb
J
VDDQ
VDD
K
DQb
L
DQb
M
VDDQ
DQb
N
DQb
NC
Vss
P
NC
DQPb
R
A
CE2
MODE
A
A0*
A
VSS
NC
VSS
NC
VDD
NC
Vss
NC
CE2
NC
A
NC
T
U
VDDQ
NC
VDDQ
A
NC
A
BWb
NC
A1*
CKE
NC
CLK
NC
WE
NC
OE
CE
NC
ADV
NC
A
NC
BWa
A
DQPa
DQa
A
VDDQ
ZZ
DQa
VDDQ
DQa
VDDQ
NC
VDDQ
NC
A
VSS
NC
Note: A0 and A1 are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61NLP12832A-250TQ | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12832A-250TQI | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| IS61NLP12836A-200B2 | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61NLP12836-133TQ | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:SRAM Chip Sync Quad 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 4.2ns 100-Pin TQFP |
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| IS61NLP12836A-200TQI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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