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参数资料
| 型号： | IS61NLP12836A-200TQI |
| 厂商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 3.1 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 6/29页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IS61NLP12836A-200TQI |
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14
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. A
10/03/06
ISSI
IS61NLP12832A
IS61NLP12836A/IS61NVP12836A
IS61NLP25618A/IS61NVP25618A
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS(1) (Over Operating Range)
-250
-200
MAX
Symbol Parameter
Test Conditions
Temp.range
x18
x32/x36
x18
x32/x36
Unit
ICC
AC Operating
Device Selected,
Com.
225
200
mA
Supply Current
OE = VIH, ZZ
≤ VIL,
Ind.
250
210
All Inputs
≤ 0.2V or ≥ VDD – 0.2V,
Cycle Time
≥ tKC min.
ISB
Standby Current
Device Deselected,
Com.
90
mA
TTL Input
VDD = Max.,
Ind.
100
All Inputs
≤ VIL or ≥ VIH,
ZZ
≤ VIL, f = Max.
ISBI
Standby Current
Device Deselected,
Com.
70
mA
CMOS Input
VDD = Max.,
Ind.
75
VIN
≤ VSS + 0.2V or ≥VDD – 0.2V typ.(2)
40
f = 0
ISB2
Sleep Mode
ZZ>VIH
Com.
30
mA
Ind.
35
typ.(2)
20
Note:
1. MODE pin has an internal pullup and should be tied to VDD or VSS. It exhibits ±100A maximum leakage current when tied to
≤
VSS + 0.2V or
≥ VDD – 0.2V.
2. Typical values are measured at VDD = 3.3V, TA = 25oC and not 100% tested.
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Over Operating Range)
3.3V
2.5V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOH
Output HIGH Voltage
IOH = –4.0 mA (3.3V)
2.4
—
2.0
—
V
IOH = –1.0 mA
(2.5V)
VOL
Output LOW Voltage
IOL = 8.0 mA (3.3V)
—
0.4
—
0.4
V
IOL = 1.0 mA (2.5V)
VIH(1)
Input HIGH Voltage
2.0
VDD + 0.3
1.7
VDD + 0.3
V
VIL(1)
Input LOW Voltage
–0.3
0.8
–0.3
0.7
V
ILI
Input Leakage Current
VSS
≤ VIN ≤ VDD(1)
–5
5
–5
5
A
ILO
Output Leakage Current
VSS
≤ VOUT ≤ VDDQ, OE = VIH
–5
5
–5
5
A
Note:
1. Overshoot: VIH (AC) < VDD + 2.0V (Pulse width less than tKC/2). Undershoot: VIL (AC) > -2V (Pulse width less than tKC/2).
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| IS61NLP12836A-200TQLI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836A-200TQLI-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz 3.3v I/O RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61NLP12836B-200B2LI | 功能描述:静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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