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参数资料
| 型号： | IS61SPD25632T |
| 厂商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | Octal Transparent D-Type Latches With 3-State Outputs 20-SO -40 to 85 |
| 中文描述： | 256K × 32，256K × 36，512K采样× 18 SYNCHRONOU仛管道，双循环取消选择静态RAM |
| 文件页数： | 21/22页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IS61SPD25632T |
8
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
PRELIMINARY INFORMATION
Rev. 00A
04/17/01
IS61SPD25632T/D
IS61LPD25632T/D
IS61SPD25636T/D
IS61LPD25636T/D
IS61SPD51218T/D
IS61LPD51218T/D
ISSI
PIN DESCRIPTIONS
A0, A1
Synchronous Address Inputs. These
pins must tied to the two LSBs of the
address bus.
A2-A18
Synchronous Address Inputs
CLK
Synchronous Clock
ADSP
Synchronous Processor Address
Status
ADSC
Synchronous Controller Address
Status
ADV
Synchronous Burst Address Advance
BWa-BWb
Synchronous Byte Write Enable
BWE
Synchronous Byte Write Enable
GW
Synchronous Global Write Enable
CE, CE2, CE2 Synchronous Chip Enable
OE
Output Enable
DQa-DQb
Synchronous Data Input/Output
MODE
Burst Sequence Mode Selection
VCC
+3.3V Power Supply
GND
Ground
VCCQ
Isolated Output Buffer Supply:
+3.3V or 2.5V
ZZ
Snooze Enable
DQPa-DQPb
Parity Data I/O DQPa is parity for DQa1-8;
DQPb is parity for DQb1-8
PIN CONFIGURATION
A17
NC
VCCQ
GND
NC
DQPa
DQa8
DQa7
GND
VCCQ
DQa6
DQa5
GND
NC
VCC
ZZ
DQa4
DQa3
VCCQ
GND
DQa2
DQa1
NC
GND
VCCQ
NC
A6
A7
CE
CE2
NC
BWb
BWa
CE2
VCC
GND
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A8
A9
NC
VCCQ
GND
NC
DQb1
DQb2
GND
VCCQ
DQb3
DQb4
VCC
NC
GND
DQb5
DQb6
VCCQ
GND
DQb7
DQb8
DQPb
NC
GND
VCCQ
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
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24
25
26
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28
29
30
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45
MODE
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
GND
VCC
NC
A18
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
46 47 48 49 50
512K x 18
100-Pin TQFP (T Version)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61VPS51218A-200TQI | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250B2 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250B2I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250B3 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| IS61VPS51218A-250B3I | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IS61VF102418A-6.5B3 | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3I-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5B3-TR | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| IS61VF102418A-6.5TQ | 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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