参数资料
型号: IS61VPS51218A-250TQ
厂商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分类: SRAM
英文描述: 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
中文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 2.6 ns, PQFP100
封装: TQFP-100
文件页数: 26/35页
文件大小: 562K
代理商: IS61VPS51218A-250TQ
32
Integrated Silicon Solution, Inc.
Rev. I
01/13/09
IS61LPS51218A, IS61LPS25636A, IS61LPS25632A, IS64LPS25636A,
IS61VPS51218A, IS61VPS25636A
ORDERINg INFORMATION (2.5V core/2.5V I/O)
Commercial Range: 0°C to +70°C
Configuration
Frequency
Order Part Number
Package(1)
256Kx36
250
IS61VPS25636A-250TQ
100TQFP,3CE
IS61VPS25636A-250B2
119PBGA
IS61VPS25636A-250B3
165PBGA
200
IS61VPS25636A-200TQ
100TQFP,3CE
IS61VPS25636A-200B2
119PBGA
IS61VPS25636A-200B3
165PBGA
512Kx18
250
IS61VPS51218A-250TQ
100TQFP,3CE
IS61VPS51218A-250B2
119PBGA
IS61VPS51218A-250B3
165PBGA
200
IS61VPS51218A-200TQ
100TQFP,3CE
IS61VPS51218A-200B2
119PBGA
IS61VPS51218A-200B3
165PBGA
Industrial Range: -40°C to +85°C
Configuration
Frequency
Order Part Number
Package(1)
256Kx36
250
IS61VPS25636A-250TQI
100TQFP,3CE
IS61VPS25636A-250B2I
119PBGA
IS61VPS25636A-250B3I
165PBGA
200
IS61VPS25636A-200TQI
100TQFP,3CE
IS61VPS25636A-200TQ2I
100TQFP,2CE
IS61VPS25636A-200TQLI
100TQFP,3CE,Lead-free
IS61VPS25636A-200B2I
119PBGA
IS61VPS25636A-200B3I
165PBGA
512Kx18
250
IS61VPS51218A-250TQI
100TQFP,3CE
IS61VPS51218A-250B2I
119PBGA
IS61VPS51218A-250B3I
165PBGA
200
IS61VPS51218A-200TQI
100TQFP,3CE
IS61VPS51218A-200TQ2I
100TQFP,2CE
IS61VPS51218A-200B2I
119PBGA
IS61VPS51218A-200B3I
165PBGA
Note:
1.For100TQFP,2CEoptioncontactSRAMMarketingatsram@issi.com
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PDF描述
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IS61VPS51236A-200B2 256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18 18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
IS62WV10248DBLL-45MLI 1M X 8 STANDARD SRAM, 45 ns, PBGA48
ISB20-G TRANSISTOR OUTPUT SOLID STATE RELAY, 3750 V ISOLATION-MAX
ISC-18128.2UH20% 1 ELEMENT, 8.2 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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参数描述
IS61VPS51232-166TQI 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS61VPS51236A-200B3 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3I 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3I-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS61VPS51236A-200B3-TR 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray