参数资料
型号: IS63LV1024-10K
元件分类: SRAM
英文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32
封装: 0.400 INCH, PLASTIC, MS-027, SOJ-32
文件页数: 16/16页
文件大小: 260K
代理商: IS63LV1024-10K
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
9
Rev. M
01/29/2010
IS63LV1024
IS63LV1024L
DATA RETENTION WAVEFORM (CE Controlled)
DATA RETENTION SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Condition
Options
Min.
Typ.(1)
Max.
Unit
VDR
VDD for Data Retention
See Data Retention Waveform
2.0
3.6
V
IDR
Data Retention Current
VDD = 2.0V,
CE
≥ VDD – 0.2V
IS63LV1024
0.5
10
mA
IS63LV1024L
0.05
1.5
tSDR
Data Retention Setup Time
See Data Retention Waveform
0
ns
tRDR
Recovery Time
See Data Retention Waveform
tRC
——
ns
Note 1: Typical values are measured at VDD = 3.0V, TA = 25OC and not 100% tested.
VDD
CE
≥ VDD - 0.2V
tSDR
tRDR
VDR
CE
GND
Data Retention Mode
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参数描述
IS63LV1024-10KI 功能描述:静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS63LV1024-10KI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS63LV1024-10K-TR 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 10ns 3.3v RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
IS63LV1024-10T 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:
IS63LV1024-10TI 制造商:ISSI 制造商全称:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT