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参数资料
| 型号： | ISL2100AAR3Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DVR HALF-BRDG HF 100V 2A 9DFN |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 39ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 114V |
| 电源电压： | 9 V ~ 14 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 9-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 9-DFN-EP（3x3） |
| 包装： | 管件 |
ISL2100A, ISL2101A
Pin Descriptions
SYMBOL
V DD
HB
HO
HS
HI
LI
V SS
LO
EPAD
DESCRIPTION
Positive supply to lower gate driver. Bypass this pin to V SS .
High-side bootstrap supply. External bootstrap capacitor is required. Connect positive side of bootstrap capacitor to this pin.
Bootstrap diode is on-chip.
High-side output. Connect to gate of high-side power MOSFET.
High-side source connection. Connect to source of high-side power MOSFET. Connect negative side of bootstrap capacitor to this
pin.
High-side input.
Low-side input.
Chip negative supply, which will generally be ground.
Low-side output. Connect to gate of low-side power MOSFET.
Exposed pad. Connect to ground or float. The EPAD is electrically isolated from all other pins.
Timing Diagrams
LI
HI ,
LI
HI
t HPLH ,
t LPLH
t HPHL ,
t LPHL
LO
HO ,
t MON
t MOFF
LO
FIGURE 3. PROPAGATION DELAYS
Typical Performance Curves
10
10
HO
FIGURE 4. DELAY MATCHING
T = +150°C
1
T = -40°C
T = +125°C
T = +150°C
1
T = -40°C
T = +25°C
T = +125°C
T = +25°C
0.1
10
100
1 . 10
3
0.1
10
100
1 . 10
3
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 5. ISL2100A IDD OPERATING CURRENT vs
FREQUENCY
6
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 6. ISL2101A IDD OPERATING CURRENT vs
FREQUENCY
FN6294.3
May 6, 2010
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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