参数资料
| 型号： | ISL55110EVAL1Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD FOR ISL55110 |
| 标准包装： | 1 |
Application Note 1283
S1 - POWER DOWN CONTROL
SPDT - CENTER OFF
VDD PD - BNC
GND
R7
10k
GND
0 Ω
IN_B - BNC
TP-IN_B
R3
R5
0 Ω
OB - BNC
R1
50 Ω
DIF+
DIF-
DIF+
DIF-
C6
NOT
POPULATED
C8
NOT
POPULATED
GND
VDD 1
2
3
4
VDD
PD
IN-B
IN-A
OB
GND
VH
OA
8
7
6
5
TP-OB
GND
R4
0 Ω
GND
R6
0 Ω
OA - BNC
IN_A - BNC
R2
50 Ω
TP-IN_A
DIF+
DIF-
ISL55110, ISL55111_TSSOP
DIF+
DIF-
TP-OA
C7 C9
NOT NOT
POPULATED POPULATED
GND
TP-VH
TP_VDD
VDD
GND
VH
DIF+
DIF+
C3
0.1μF
C4
0.1μF
C5
+4.7μF
VDD - BANANA JACK
VH - BANANA JACK
GND
C1 C2
+4.7μF 0.1μF
DIF-
DIF-
GND - BANANA JACK
GND
FIGURE 5. TSSOP EVALUATION BOARD SCHEMATIC
.
FIGURE 6. TSSOP LAYOUT
3
AN1283.0
February 13, 2007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL55110EVAL2Z | 功能描述:电源管理IC开发工具 ISL59534IKEZ32X16VID CROSPNT SNGL END IN RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| ISL55110IRZ | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IRZ-T | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IRZ-T7A | 功能描述:功率驱动器IC W/ANNEAL ULTRASOUND DRVR 16LD 4X4 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| ISL55110IVZ | 功能描述:功率驱动器IC ULTRASOUND DRVR IN 8LD RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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