参数资料
型号: ISL59442IB
厂商: Intersil
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文件大小: 0K
描述: IC CROSSPOINT SW 1GHZ 4X1 14SOIC
标准包装: 55
应用: 4:1 多路复用器-放大器
电路数: 1
-3db带宽: 1GHz
转换速率: 1452 V/µs
电流 - 电源: 18mA
电流 - 输出 / 通道: 180mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±4.5 V ~ 5.5 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOICN
包装: 管件
7
FN7452.4
January 5, 2007
FIGURE 21. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Pin Descriptions
PIN NUMBER
PIN NAME
EQUIVALENT
CIRCUIT
DESCRIPTION
1
IN0
Circuit 1
Input for channel 0
2, 6, 9
NIC
Not Internally Connected; it is recommended this pin be tied to ground to
minimize crosstalk.
3
IN1
Circuit 1
Input for channel 1
4
GND
Circuit 4
Ground pin
5
IN2
Circuit 1
Input for channel 2
7
IN3
Circuit 1
Input for channel 3
8
V-
Circuit 4
Negative power supply
10
OUT
Circuit 3
Output
11
HIZ
Circuit 2
Output disable (active high); there are internal pull-down resistors, so the
device will be active with no connection; "HI" puts the output in high
impedance state.
12
S1
Circuit 2
Channel selection pin MSB (binary logic code)
13
S0
Circuit 2
Channel selection pin LSB (binary logic code)
14
V+
Circuit 4
Positive power supply
Typical Performance Curves VS = ±5V, RL = 500Ω to GND, TA = +25°C, unless otherwise specified. (Continued)
1.136W
θ
JA =
88
°C
/W
SO
14
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
833mW
θ
JA =
12
0°C
/W
SO
14
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
025
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
PO
WER
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
IN
V+
V-
CIRCUIT 1.
LOGIC PIN
V+
V-
GND.
33k
21k
+
-
1.2V
CIRCUIT 2.
V+
V-
OUT
CIRCUIT 3.
V-
V+
CAPACITIVELY
COUPLED
ESD CLAMP
GND
CIRCUIT 4.
ISL59442
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