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参数资料
| 型号： | ISL6115ACBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR POWER DIST 12V 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 热交换控制器 |
| 应用： | 通用 |
| 内部开关： | 无 |
| 电源电压： | 10.2 V ~ 13.8 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6115A
Absolute Maximum Ratings T A = +25°C
V DD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +16V
GATE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V DD + 8V
ISEN, PGOOD, PWRON, CTIM, ISET . . . -0.3V to V DD + 0.3V
Operating Conditions
Thermal Information
Thermal Resistance (Typical, Note 4) θ JA (°C/W)
8 Ld SOIC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . -65°C to +150°C
Pb-Free Reflow Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
V DD Supply Voltage Range
Temperature Range (T A ) . .
ESD
Human Body Model . . . .
Machine Model . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . +12V ±15%
. . . . . . . . . . . . -40°C to +85°C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5kV
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact
product reliability and result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief
TB379 for details.
5. All voltages are relative to GND, unless otherwise specified.
Electrical Specifications
V DD = 12V, T A = T J = full temperature range, Unless Otherwise Specified.
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 6)
TYP
(Note 6) UNITS
CURRENT CONTROL
ISET Current Source
I ISET_ft
17
20
22
μA
ISET Current Source
Current Limit Amp Offset Voltage
Current Limit Amp Offset Voltage
I ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T J = +15°C to +55°C
V ISET - V ISEN
V ISET - V ISEN, T J = +15°C to
+55°C
19
-4.5
-2
20
0
0
21
4.5
2
μA
mV
mV
GATE DRIVE
GATE Response Time to Severe OC
GATE Response Time to Overcurrent
GATE Turn-On Current
GATE Pull-Down Current
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I GATE
OC_GATE_I_4V
V GATE to 10.8V
V GATE to 10.8V
V GATE to = 6V
Overcurrent
-
-
10.8
45
100
600
14
82
-
-
16.7
124
ns
ns
μA
mA
GATE Pull-Down Current (Note 6)
Undervoltage Threshold
WOC_GATE_I_4V Severe Overcurrent
12V UV_VTH
-
8.9
0.8
9.6
-
10.2
A
V
GATE High Voltage
12VG
GATE Voltage
V DD +
5.7V
V DD +
6.5V
-
V
BIAS
V DD Supply Current
I VDD
-
3
3.9
mA
V DD POR Rising Threshold
V DD POR Falling Threshold
V DD POR Threshold Hysteresis
Maximum PWRON Pull-Up Voltage
V DD_POR_L2H
V DD_POR_H2L
V DD_POR_HYS
PWRN_PUV
VDD Low to High
VDD High to Low
V DD_POR_L2H - V DD_POR_H2L
Maximum External Pull-up
7
6.9
0.1
-
8.4
8.1
0.3
5
9
8.7
0.5
-
V
V
V
V
Voltage
PWRON Pull-Up Voltage
PWRON Rising Threshold
PWRON Hysteresis
PWRON Pull-Up Current
PWRN_V
PWR_Vth
PWR_hys
PWRN_I
PWRON Pin Open
2.5
1.1
125
12.6
3.2
1.7
170
17
-
2.35
250
24
V
V
mV
μA
4
FN6855.1
April 23, 2010
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