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参数资料
| 型号： | ISL6116CB-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR POWER DISTRIB 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 热交换控制器 |
| 应用： | 通用 |
| 内部开关： | 无 |
| 电源电压： | 9 V ~ 15 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ISL6115, ISL6116, ISL6117, ISL6120
Absolute Maximum Ratings T A = +25°C
Thermal Information
V DD . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GATE . . . . . . . . . . . . . . . . .
ISEN, PGOOD, PWRON, CTIM,
ESD Rating
Human Body Model . . . . . .
Operating Conditions
. . . . . . . . . . . -0.3V to +16V
. . . . . . . . . -0.3V to V DD + 8V
ISET . . . -0.3V to V DD + 0.3V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5kV
Thermal Resistance (Typical, Note 4) θ JA (°C/W)
8 Ld SOIC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . -65°C to +150°C
Pb-Free Reflow Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
V DD Supply Voltage Range (ISL6115) . . . . . . . . +12V ±15%
V DD Supply Voltage Range (ISL6116, 17, 20) . . +12V ±25%
Temperature Range (T A ) . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +85°C
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact
product reliability and result in failures not covered by warranty.
NOTES:
4. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief
TB379 for details.
5. All voltages are relative to GND, unless otherwise specified.
Electrical Specifications
V DD = 12V, T A = T J = 0°C to +85°C, Unless Otherwise Specified. Temperature limits
established by characterization and are not production tested. Boldface limits apply over the
operating temperature range, -40°C to +85°C.
MIN
MAX
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(Note 7)
TYP
(Note 7) UNITS
CURRENT CONTROL
ISET Current Source
I ISET_ft
18.5
20
21.5
μA
ISET Current Source
Current Limit Amp Offset Voltage
Current Limit Amp Offset Voltage
I ISET_pt
Vio_ft
Vio_pt
T J = +15°C to +55°C
V ISET - V ISEN
V ISET - V ISEN, T J = +15°C to
+55°C
19
-6
-2
20
0
0
21
6
2
μA
mV
mV
GATE DRIVE
GATE Response Time to Severe OC
GATE Response Time to Overcurrent
GATE Turn-On Current
GATE Pull-Down Current
pd_woc_amp
pd_oc_amp
I GATE
OC_GATE_I_4V
V GATE to 10.8V
V GATE to 10.8V
V GATE to = 6V
Overcurrent
-
-
8.4
45
100
600
10
75
-
-
11.6
-
ns
ns
μA
mA
GATE Pull-Down Current (Note 6)
ISL6115 Undervoltage Threshold
WOC_GATE_I_4V Severe Overcurrent
12V UV_VTH
0.5
9.2
0.8
9.6
-
10
A
V
ISL6115 GATE High Voltage
12VG
GATE Voltage
V DD + 4.5V V DD + 5V
-
V
ISL6116 Undervoltage Threshold
ISL6117 Undervoltage Threshold
ISL6120 Undervoltage Threshold
5V UV_VTH
3V UV_VTH
2V UV_VTH
4.0
2.4
1.8
4.35
2.6
1.85
4.5
2.8
1.9
V
V
V
ISL6116, ISL6117, ISL6120 GATE
High Voltage
VG
GATE Voltage
V DD - 1.5V
V DD
-
V
BIAS
V DD Supply Current
I VDD
-
3
5
mA
V DD POR Rising Threshold
V DD POR Falling Threshold
V DD POR Threshold Hysteresis
Maximum PWRON Pull-Up Voltage
V DD_POR_L2H
V DD_POR_H2L
V DD_POR_HYS
PWRN_PUV
VDD Low to High
VDD High to Low
V DD_POR_L2H - V DD_POR_H2L
Maximum External Pull-up
7.8
7.5
0.1
-
8.4
8.1
0.3
5
9
8.7
0.6
-
V
V
V
V
Voltage
4
FN9100.7
April 29, 2010
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