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参数资料
| 型号： | ISL6307BIRZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 14/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 48-QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 6 |
| 频率 - 最大： | 275kHz |
| 占空比： | 66.7% |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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ISL6307B
I ( s )
L
ISL6612
V IN
L
L
DCR
INDUCTOR
V L
V OUT
C OUT
ISL6307B INTERNAL CIRCUIT
L
I
R SENSE V OUT
C OUT
V C (s)
I n
R ISEN(n)
PWM(n)
R
C
SAMPLE
&
HOLD
ISEN-(n)
ISL6307B INTERNAL CIRCUIT
+
SENSE
SEN = I L --------------------------
ISEN
I n
SAMPLE
&
HOLD
ISEN-(n)
R ISEN(n)
(PTC)
-
ISEN+(n)
R
I
R
FIGURE 5. SENSE RESISTOR IN SERIES WITH INDUCTORS
+
I SEN = I -------------------
L R
-
ISEN+(n)
DCR
ISEN
FIGURE 4. DCR SENSING CONFIGURATION
With the internal low-offset current amplifier, the capacitor
voltage V C is replicated across the sense resistor R ISEN .
Therefore the current out of ISEN+ pin, I SEN , is proportional
to the inductor current.
MOSFET R DS(ON) SENSING
The controller can also sense the channel load current by
sampling the voltage across the lower MOSFET R DS(ON)
(see Figure 6). The amplifier is ground-reference by
connecting the ISEN- pin to the source of the lower
MOSFET. ISEN+ pin is connected to the PHASE node
through the current sense resistor R ISEN . The voltage
across R ISEN is equivalent to the voltage drop across the
R DS(ON) of the lower MOSFET while it is conducting. The
resulting current out of the ISEN+ pin is proportional to the
channel current I L .
I SEN = I --------------------------- ) -
R ISEN
Equation 5 shows that the ratio of the channel current to the
sensed current I SEN is driven by the value of the sense
resistor and the DCR of the inductor.
I n
L
R DS ( ON
V IN
I SEN = I L ? ------------------
DCR
R ISEN
(EQ. 5)
SAMPLE
&
HOLD
ISEN+(n)
I L
RESISTIVE SENSING
For accurate current sense, a dedicated current-sense
resistor R SENSE in series with each output inductor can
serve as the current sense element (see Figure 5). This
technique is more accurate, but reduces overall converter
-
+
R ISEN
(PTC)
ISEN-(n)
-
I L xR DS ( ON )
+
N-CHANNEL
MOSFETs
efficiency due to the additional power loss on the current
sense element R SENSE .
ISL6307B INTERNAL CIRCUIT
EXTERNAL CIRCUIT
Equation 6 shows the ratio of the channel current to the
sensed current I SEN .
FIGURE 6. MOSFET R DS(ON) CURRENT-SENSING CIRCUIT
I SEN = I L ? -----------------------
R
I SEN = I L ------------------------- )
R SENSE
ISEN
14
(EQ. 6)
Equation 7 shows the ratio of the channel current to the
sensed current I SEN .
R DS ( ON
(EQ. 7)
R ISEN
Both inductor DCR and MOSFET R DS(ON) value will
increase as the temperature increases. Therefore the
sensed current will increase as the temperature of the
current sense element increases. In order to compensate
FN9225.0
March 9, 2006
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