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参数资料
| 型号： | ISL6615AFRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 12/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 36V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-DFN（3x3） |
| 包装： | 管件 |
ISL6615A
Package Outline Drawing
M8.15
8 LEAD NARROW BODY SMALL OUTLINE PLASTIC PACKAGE
Rev 3, 3/11
DETAIL "A "
1.27 (0.050)
0.40 (0.016)
INDEX
6.20 (0.244)
AREA
4.00 (0.157)
5.80 (0.228)
0.50 (0.20)
0.25 (0.01)
x 45°
3.80 (0.150)
8 °
1
2
3
0°
0.25 (0.010)
0.19 (0.008)
TOP VIEW
SIDE VIEW “B”
2.20 (0.087)
SEATING PLANE
1
8
5.00 (0.197)
4.80 (0.189)
1.75 (0.069)
1.35 (0.053)
2
7
0.60 (0.023)
1.27 (0.050)
-C-
3
4
6
5
1.27 (0.050)
0.25(0.010)
0.10(0.004)
0.51(0.020)
0.33(0.013)
SIDE VIEW “A
12
5.20(0.205)
TYPICAL RECOMMENDED LAND PATTERN
NOTES:
1. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1982.
2. Package length does not include mold flash, protrusions or gate burrs.
Mold flash, protrusion and gate burrs shall not exceed 0.15mm (0.006
inch) per side.
3. Package width does not include interlead flash or protrusions. Interlead
flash and protrusions shall not exceed 0.25mm (0.010 inch) per side.
4. The chamfer on the body is optional. If it is not present, a visual index
feature must be located within the crosshatched area.
5. Terminal numbers are shown for reference only.
6. The lead width as measured 0.36mm (0.014 inch) or greater above the
seating plane, shall not exceed a maximum value of 0.61mm (0.024 inch).
7. Controlling dimension: MILLIMETER. Converted inch dimensions are not
necessarily exact.
8. This outline conforms to JEDEC publication MS-012-AA ISSUE C.
FN6608.2
April 13, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7VVB-2510G | CABLE D-SUB-AMU25B/AE25G/AMU25B |
| M7PPK-0910J | D-SUB CABLE MMM09K/MC10G/MMM09K |
| EMM03DSAN | CONN EDGECARD 6POS R/A .156 SLD |
| M7NXK-2506R | D-SUB CABLE - MML25K/MC26M/X |
| A7MMB-2510M | CABLE D-SUB-AMP25B/AE25M/AMP25B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL6615AFRZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIBZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIBZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIRZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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