- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录20563 > ISL6615AFRZ (Intersil)IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | ISL6615AFRZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 36V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 10-DFN（3x3） |
| 包装： | 管件 |
ISL6615A
gate-source threshold of the upper MOSFET. A higher dV/dt, a
lower C DS /C GS ratio, and a lower gate-source threshold upper
FET will require a smaller resistor to diminish the effect of the
internal capacitive coupling. For most applications, the
integrated 20k Ω typically sufficient, not affecting normal
performance and efficiency.
PVCC
DU
BOOT
C BOOT
UGATE G
C GD
VIN
D
C DS
The coupling effect can be roughly estimated with the formulas
in Equation 5, which assume a fixed linear input ramp and
neglect the clamping effect of the body diode of the upper drive
DL
R GI
C GS
Q UPPER
and the bootstrap capacitor. Other parasitic components such as
lead inductances and PCB capacitances are also not taken into
account. These equations are provided for guidance purpose
only. Therefore, the actual coupling effect should be examined
using a very high impedance (10M Ω or greater) probe to ensure
a safe design margin.
S
PHASE
FIGURE 5. GATE-TO-SOURCE RESISTOR TO REDUCE UPPER
MOSFET MILLER COUPLING
DS
? dV ?
dV
V GS_MILLER = ------ ? R ? C rss ? 1 – e dt
iss ?
– V
? ------------------------------- ?
------ ? R ? C
dt ? ?
? ?
? ?
(EQ. 5)
R = R UGPH + R GI
C rss = C GD
9
C iss = C GD + C GS
FN6608.2
April 13, 2012
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7VVB-2510G | CABLE D-SUB-AMU25B/AE25G/AMU25B |
| M7PPK-0910J | D-SUB CABLE MMM09K/MC10G/MMM09K |
| EMM03DSAN | CONN EDGECARD 6POS R/A .156 SLD |
| M7NXK-2506R | D-SUB CABLE - MML25K/MC26M/X |
| A7MMB-2510M | CABLE D-SUB-AMP25B/AE25M/AMP25B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL6615AFRZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIBZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIBZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIRZ | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| ISL6615AIRZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。