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参数资料
| 型号： | ISL6622CBZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR SYNC BUCK 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1.25A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 36V |
| 电源电压： | 6.8 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1241 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | ISL6622CBZ-TDKR |
ISL6622
Absolute Maximum Ratings
Thermal Information
Supply Voltage (VCC, UVCC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15V
Thermal Resistance
θ JA (°C/W)
θ JC (°C/W)
BOOT Voltage (V BOOT-GND ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36V
Input Voltage (V PWM ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V to 7V
UGATE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . V PHASE - 0.3V DC to V BOOT + 0.3V
V PHASE - 3.5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to V BOOT + 0.3V
LGATE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .GND - 0.3V DC to V LVCC + 0.3V
GND - 5V (<100ns Pulse Width, 2μJ) to V LVCC + 0.3V
PHASE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND - 0.3V DC to 15V DC
GND - 8V (<200ns, 10μJ) to 30V (<200ns, V BOOT-GND <36V)
SOIC Package (Note 1) . . . . . . . . . . . . 100 N/A
DFN Package (Notes 2, 3) . . . . . . . . . . 48 7
Maximum Junction Temperature (Plastic Package) . . . . . . . +150°C
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Pb-free Reflow Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .see link below
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
Recommended Operating Conditions
Ambient Temperature Range
ISL6622IBZ, ISL6622IRZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
ISL6622CBZ, ISL6622CRZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
Maximum Operating Junction Temperature. . . . . . . . . . . . . +125°C
Supply Voltage
VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.8V to 13.2V
UVCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.75V to 13.2V
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
NOTES:
1. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
2. θ JA is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See
Tech Brief TB379.
3. For θ JC , the “case temp” location is the center of the exposed metal pad on the package underside.
4. Limits should be considered typical and are not production tested.
Electrical Specifications
Recommended Operating Conditions. Parameters with MIN and/or MAX limits are 100% tested at +25°C,
unless otherwise specified. Temperature limits established by characterization and are not
production tested
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCC SUPPLY CURRENT (Note 4)
No Load Switching Supply Current
I VCC
ISL6622CBZ and ISL6622IBZ,
-
8.2
-
mA
f PWM = 300kHz, V VCC = 12V
I VCC
I UVCC
ISL6622CRZ and ISL6622IRZ,
f PWM = 300kHz, V VCC = 12V
-
-
6.2
2.0
-
-
mA
mA
Standby Supply Current
I VCC
ISL6622CBZ and ISL6622IBZ, PWM
-
5.7
-
mA
Transition from 0V to 2.5V
I VCC
I UVCC
ISL6622CRZ and ISL6622IRZ, PWM
Transition from 0V to 2.5V
-
-
5
0.7
-
-
mA
mA
POWER-ON RESET
VCC Rising Threshold
VCC Falling Threshold
LVCC Rising Threshold (Note 4)
LVCC Falling Threshold (Note 4)
6.25
4.8
-
-
6.45
5.0
4.4
3.4
6.70
5.25
-
-
V
V
V
V
PWM INPUT (See “TIMING DIAGRAM” on page 6)
Input Current (Note 4)
PWM Rising Threshold (Note 4)
PWM Falling Threshold (Note 4)
Three-State Lower Gate Falling Threshold (Note 4)
Three-State Lower Gate Rising Threshold (Note 4)
Three-State Upper Gate Rising Threshold (Note 4)
I PWM
V PWM = 5V
V PWM = 0V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
VCC = 12V
-
-
-
-
-
-
-
500
-430
3.4
1.6
1.6
1.1
3.2
-
-
-
-
-
-
-
μA
μA
V
V
V
V
V
4
FN6470.2
October 30, 2008
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