参数资料
| 型号： | ISL84684IIZ-T |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPDT 10WLCSP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT |
| 导通状态电阻： | 500 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 4.5 V |
| 电流 - 电源： | 5nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-UFBGA，WLCSP |
| 供应商设备封装： | 10-WLCSP（2.0x1.5） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | ISL84684IIZ-TCT |
10
FN6190.0
November 3, 2005
FIGURE 15. CHARGE INJECTION vs SWITCH VOLTAGE
FIGURE 16. DIGITAL SWITCHING POINT vs SUPPLY VOLTAGE
FIGURE 17. FREQUENCY RESPONSE
FIGURE 18. CROSSTALK AND OFF ISOLATION
Die Characteristics
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
GND
TRANSISTOR COUNT:
114
PROCESS:
Submicron CMOS
Typical Performance Curves TA = 25°C, Unless Otherwise Specified (Continued)
01
23
4
5
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
Q
(p
C)
VCOM (V)
V+ = 3V
V+ = 4.3V
1.52
2.53
3.544.5
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
V+ (V)
V
INH
AND
V
IN
L
(V
)
VINH
VINL
FREQUENCY (MHz)
0
-3
NORMALIZED
GAIN
(dB)
GAIN
PHASE
V+ = 3V
0
20
40
P
H
A
S
E
(D
EG
R
E
ES
)
0.1
10
100
500
VIN = 0.2VP-P to 2VP-P
RL = 50
1
-6
FREQUENCY (Hz)
1k
100k
1M
100M 500M
10k
10M
-110
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
CROSS
TA
LK
(dB)
O
FF
IS
OL
A
T
IO
N
(
d
B)
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
ISOLATION
CROSSTALK
V+ = 3V
ISL84684II
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