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参数资料
| 型号： | ISL89160FBEBZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC |
| 标准包装： | 980 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 电流 - 峰： | 6A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 管件 |
ISL89160, ISL89161, ISL89162
Test Waveforms and Circuits (Continued)
10V
I M P
CURRENT THROUGH
0.1 Ω RESISTOR
0A
V M ILLER
V OUT
V M ILLER
-I M P
0V
V OUT
CURRENT THROUGH
0.1 Ω RESISTOR
0
200ns
FIGURE 7. MILLER PLATEAU SINK CURRENT
200ns
FIGURE 8. MILLER PLATEAU SOURCE CURRENT
RISING VDD
THIS DURATION IS DEPENDENT ON RISE
TIME OF VDD
3.3V UV THRESHOLD
THIS DURATION IS
INDEPENDENT ON RISE
TIME OF VDD
~1V
10k Ω TO
GROUND
Ω
OUTA, OUTB
OUTPUT STATE
OUTPUTS ACTIVE
LOW
<1 Ω TO GROUND
UP TO 400μs
OUTPUTS CONTROLLED BY
LOGICAL INPUTS
FIGURE 9. START-UP SEQUENCE
Typical Performance Curves
3.5
+125°C
35
+125°C
30
+25°C
3.0
+25°C
25
-40°C
20
-40°C
2.5
15
10
2.0
4
8
12
16
5
4
8
12
16
V DD
FIGURE 10. I DD vs V DD (STATIC)
7
V DD
FIGURE 11. I DD vs V DD (1MHz)
FN7719.3
February 20, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC26DRXN-S734 | CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD |
| T95V156K004CSAL | CAP TANT 15UF 4V 10% 1410 |
| F950G227MAAAM1Q2 | CAP TANT 220UF 4V 20% 1206 |
| EEC26DRXH-S734 | CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD |
| ISL89162FBEAZ | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ISL89160FBEBZ-T | 功能描述:IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:* |
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