型号: | ISL9N322AP3 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
中文描述: | 35 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件页数: | 1/11页 |
文件大小: | 140K |
代理商: | ISL9N322AP3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ISL9N327AD3ST | N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
ISL9R2480G2 | 24A, 800V Stealth⑩ Diode |
ISL9R860S3ST | Choke; Inductance:1.5mH; Current Rating:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Resistance:0.02ohm |
ISL9R860PF2 | 8A, 600V Stealth Diode |
ISL9R860P2 | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ISL9N322AS3ST | 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
ISL9N327AD3ST | 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
ISL9N7030BLP3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.009 Ohm N-Ch Logic Level 74a RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
ISL9N7030BLS3ST | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
ISL9R1560G2 | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |