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参数资料
| 型号： | ISL9N322AP3 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs |
| 中文描述： | 35 A, 30 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | ISL9N322AP3 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, January 2002
I
Typical Characteristic
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
10
20
30
40
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.01
0.1
1
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
30
500
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
T
C
= 25
o
C
I = I
25
175 - T
C
150
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
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PDF描述 |
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