型号: | ISL9R860PF2 |
厂商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
英文描述: | 8A, 600V Stealth Diode |
中文描述: | 8A条,600V的隐形二极管 |
文件页数: | 3/6页 |
文件大小: | 129K |
代理商: | ISL9R860PF2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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ISL9R860P2 | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
ISL9R860S2 | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
ISL9R860S3S | 8A, 600V Stealth⑩ Diode |
ISL9V5036S3ST | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.3 to 5.6; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
ISP815 | HIGH DENSITY MOUNTING PHOTODARLINGTON OPTICALLY COUPLED ISOLATORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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ISL9R860S2 | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
ISL9R860S3ST | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
ISL9R860S3ST_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
ISL9R860S3ST_Q | 功能描述:整流器 8A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
ISL9R860W2 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 WFR 600V 8A HFST ULTRASOFT PWR RECT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |