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参数资料
| 型号： | ISPLSI 1032E-125LTN |
| 厂商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件页数： | 12/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PLD ISP 64I/O 7.5NS 100TQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ispLSI® 1000E |
| 可编程类型： | 系统内可编程 |
| 最大延迟时间 tpd(1)： | 7.5ns |
| 电压电源 - 内部： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 逻辑元件/逻辑块数目： | 32 |
| 门数： | 6000 |
| 输入/输出数： | 64 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 220-1592 ISPLSI 1032E-125LTN-ND ISPLSI1032E-125LTN |
4
Specifications ispLSI 1032E
USE
ispLSI
1032EA
FOR
NEW
DESIGNS
Output Load Conditions (see Figure 2)
Switching Test Conditions
TEST CONDITION
R1
R2
CL
A
470Ω
390Ω
35pF
B
∞
390Ω
35pF
470Ω
390Ω
35pF
Active High
Active Low
C
470Ω
390Ω
5pF
∞
390Ω
5pF
Active Low to Z
at V +0.5V
OL
Active High to Z
at V
-0.5V
OH
Table 2-0004/1032E
Figure 2. Test Load
+ 5V
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
0213a
DC Electrical Characteristics
Over Recommended Operating Conditions
VOL
SYMBOL
1. One output at a time for a maximum duration of one second. V
= 0.5V was selected to avoid test problems
by tester ground degradation. Characterized but not 100% tested.
2. Measured using eight 16-bit counters.
3. Typical values are at V = 5V and T = 25°C.
4. Maximum I
varies widely with specific device configuration and operating frequency. Refer to the Power Consumption
section of this data sheet and Thermal Management section of the Lattice Semiconductor Data Book or CD-ROM to
estimate maximum I
.
Table 2-0007/1032E
1
VOH
IIH
IIL
IIL-isp
PARAMETER
IIL-PU
IOS
2, 4
ICC
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input or I/O High Leakage Current
Input or I/O Low Leakage Current
ispEN Input Low Leakage Current
I/O Active Pull-Up Current
Output Short Circuit Current
Operating Power Supply Current
I = 8 mA
I
= -4 mA
3.5V ≤ V ≤ V
0V ≤ V ≤ V (Max.)
0V ≤ V ≤ V
V = 5V, V
= 0.5V
V = 0.5V, V = 3.0V
f
= 1 MHz
OL
OH
IN
IL
IN
CC
IN
IL
IN
IL
CC
OUT
CLOCK
IL
IH
CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
3
–
2.4
–
190
0.4
–
10
-10
-150
-200
–
V
μA
mA
CC
A
OUT
CC
Commercial
Industrial
Input Pulse Levels
Table 2-0003/1032E
Input Rise and Fall Time
10% to 90%
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
1.5V
See Figure 2
3-state levels are measured 0.5V from
steady-state active level.
-125
Others
≤ 2 ns
≤ 3 ns
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ispLSI1032E-125LTN | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| ISPLSI1032E125LTNI | 制造商:LATTICE 制造商全称:Lattice Semiconductor 功能描述:In-System Programmable High Density PLD |
| ISPLSI1032E70LJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD |
| ispLSI1032E-70LJ | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 USE ispMACH 4000V RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
| ISPLSI1032E70LJI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Electrically-Erasable Complex PLD |
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