参数资料
型号: ISPLSI 5256VE-80LT100I
厂商: Lattice Semiconductor Corporation
文件页数: 3/24页
文件大小: 0K
描述: IC PLD ISP 144I/O 12NS 100TQFP
标准包装: 90
系列: ispLSI® 5000VE
可编程类型: 系统内可编程
最大延迟时间 tpd(1): 12.0ns
电压电源 - 内部: 3 V ~ 3.6 V
逻辑元件/逻辑块数目: 8
宏单元数: 256
门数: 12000
输入/输出数: 72
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 100-LQFP
供应商设备封装: 100-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: ISPLSI5256VE-80LT100I
Specifications ispLSI 5256VE
11
Switching Test Conditions
Input Pulse Levels
Table 2-0003/5KVE
Input Rise and Fall Time
Input Timing Reference Levels
Ouput Timing Reference Levels
Output Load
GND to VCCIOmin
≤ 1.5ns 10% to 90%
1.5V
See Figure 9
3-state levels are measured 0.5V from
steady-state active level.
Output Load Conditions (See Figure 9)
TEST CONDITION
R1
3.3V
2.5V
R2
CL
A
35pF
D
35pF
B
35pF
Active High
Slow Slew
Active Low
C
5pF
511
511
475
475
475
R1
R2
316
316
348
348
348
Active Low to Z
at V +0.5V
OL
Active High to Z
at V
-0.5V
OH
Table 2-0004A/5KVE
DC Electrical Characteristics for 3.3V Range
1
Over Recommended Operating Conditions
Figure 9. Test Load
VCCIO
R1
R2
CL*
Device
Output
Test
Point
*CL includes Test Fixture and Probe Capacitance.
0213D
VOL
SYMBOL
1. I/O voltage configuration must be set to VCC.
Table 2-0007/5KVE
VOH
VIH
VIL
PARAMETER
Output Low Voltage
Output High Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
VCCIO = min, IOL = 8 mA
VCCIO = min, IOH = -4 mA
CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
2.4
2.0
-0.3
0.4
5.25
0.8
V
VCCIO
I/O Reference Voltage
3.0
3.6
V
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