参数资料
型号: IX2127N
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 10/13页
文件大小: 0K
描述: IC HIGH SIDE DRIVER 8SOIC
特色产品: High-Voltage Power MOSFET and IGBT Driver
标准包装: 100
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 100ns
电流 - 峰: 500mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 9 V ~ 12 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 管件
产品目录页面: 2629 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: CLA327
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Output Sink Current
IX2127
100
Hi g h-Level Output Volta g e V OH (V B -V HO )
vs. Temperature
300
Output Source Current vs. Volta g e
(V CC =V BS =V BIAS , V IN =5V, PW ≤ 10 μ s)
600
vs. V Bias Volta g e
(V CC =V BS =V BIAS , V IN =0V, PW ≤ 10 μ s)
90
8 0
70
60
50
40
250
200
150
500
400
300
30
20
10
100
50
Ref. Fi g . 1: R GATE =20 Ω
200
100
Ref. Fi g . 1: R GATE =20 Ω
0
-10
0
0
-50
-25
0
25 50 75
100
125
10.0
10.5
11.0 11.5
12.0
10.0
10.5
11.0 11.5
12.0
Temperature (oC)
V BIAS Volta g e (V)
Output Source Current
V BIAS Volta g e (V)
Output Sink Current
100
Low-Level Output Volta g e V OL
vs. Temperature
350
vs. Temperature
(V CC =V BS =12V, V IN =5V, PW ≤ 10 μ s)
600
vs. Temperature
(V CC =V BS =12V, V IN =0V, PW ≤ 10 μ s)
90
8 0
70
60
50
40
300
250
200
150
500
400
300
30
20
10
0
-10
100
50
0
Ref. Fi g . 1: R GATE =20 Ω
200
100
0
Ref. Fi g . 1: R GATE =20 Ω
-50
-25
0
25 50 75
100
125
-50
-25
0
25 50 75
100
125
-50
-25
0
25 50 75
100
125
Temperature (oC)
Start-Up Blankin g Delay
Temperature (oC)
CS Shutdown Propa g ation Delay
Temperature (oC)
CS to FLT Propa g ation Delay
700
vs. Input Volta g e
250
vs. Input Volta g e
350
vs. V CC Supply Volta g e
600
500
400
300
200
100
0
200
150
100
50
0
300
250
200
150
100
50
0
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0
11.5
12.0
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0
11.5
12.0
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0
11.5
12.0
Input Volta g e (V)
Start-Up Blankin g Delay
vs. Temperature
Input Volta g e (V)
CS Shutdown Propo g ation Delay
V CC Supply Volta g e (V)
CS to FLT Propa g ation Delay
vs. Temperature
8 00
(V CC =V BS =12V)
300
vs. Temperature
350
(V CC =V BS =12V)
700
600
500
400
300
200
100
0
250
200
150
100
50
0
300
250
200
150
100
50
0
-50
-25
0
25 50 75
100
125
-50
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0
25 50 75
100
125
-50
-25
0
25 50 75
100
125
10
Temperature (oC)
Temperature (oC)
www.ixysic.com
Temperature (oC)
R03
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PDF描述
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参数描述
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